CSD19536KCS是100 V N沟道TO-220功率MOSFET。原厂产品摘要的2.3 mΩ为25 °C、VGS=10 V下典型导通电阻；不同温度和驱动电压会改变损耗。
CSD19536KCS功率MOSFET的评审要点
| 核对对象 | 中文解释与适用条件 | 项目确认与记录 |
|---|---|---|
| 额定值区别 | 100 V漏源额定值不能作为任意母线的推荐工作电压 | 给出开关尖峰、裕量和器件保护要求 |
| 导通与开关损耗 | 导通估算P≈Irms²×RDS(on)，还需加开关与驱动损耗 | RDS(on)采用实际结温、栅压条件，不直接用25 °C典型值 |
| 电流与散热 | 芯片限值、封装限值和板上可用电流不同 | 评审散热器、安装界面和安全工作区，实测温升 |
MOSFET导通电阻很低，为什么仍然发热
板上损耗还受开关过程、驱动、频率和热路径影响。数据表某个栅压下的导通电阻，不能直接用于所有驱动条件。
检查顺序
- 核对栅源驱动、电流波形、开关频率和工作模式
- 分开估算导通与开关损耗，检查寄生回路及过冲
- 在实际铜层、散热和环境下测量温升，并确认安全工作边界
应交付的判断与记录
交付驱动波形、负载与热状态；更换器件前先比较封装、驱动和动态行为，不能只按更低电阻批准替代
